MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A2G8AG-062E por Micron Technology y H5ANAG8NBJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NBJR-VKC
Marca Micron Technology SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $9,75 $8,60
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Organización de memoria 2G x 8 2G x 8
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
Latencia CAS CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
Encapsulado 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Die Revision AG (current generation) —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Tensión de alimentación — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Temperatura de funcionamiento — 0C to +85C
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización