MT41K256M16LY-107 vs MT41K256M16TW-107 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16LY-107 von Micron Technology und MT41K256M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16LY-107 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,25 | $14,10 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| Datenbusbreite | 16 bit | 16 bit |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| CAS-Latenz | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V / 1.5V | 1.35 V |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Datenrate | 1866 MT/s | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |