MT41K256M16LY-107 vs MT41K256M16TW-107 对比

详细并排对比 MT41K256M16LY-107 出自 Micron Technology 和 MT41K256M16TW-107 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16LY-107 MT41K256M16LY-107 - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107 - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107 ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16LY-107 MT41K256M16TW-107
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $2.25 $14.10
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
数据总线宽度 16 bit 16 bit
Clock Frequency 933 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
CAS 延迟 20 ns —
电源电压 1.35V / 1.5V 1.35 V
封装 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (8x14 mm)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
工作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C (commercial :P grade)
数据速率 1866 MT/s —
Burst Length 8, 4 —
引脚数 96 —
RoHS 状态 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
REACH Status Compliant —
Memory Format DRAM —
存储组织 — 256M x 16
接口 — Parallel
Access Time — 20 ns
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
MSL 等级 — [DATA_NEEDED: MSL level]

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