MT41K256M16LY-107 vs MT41K256M16TW-107 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16LY-107 por Micron Technology e MT41K256M16TW-107 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT41K256M16LY-107 MT41K256M16LY-107 - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107 - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107 ✓ Ativo
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT41K256M16LY-107 MT41K256M16TW-107
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,25 $14,10
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Largura do barramento de dados 16 bit 16 bit
Clock Frequency 933 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
Latência CAS 20 ns —
Tensão de alimentação 1.35V / 1.5V 1.35 V
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (8x14 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C (commercial :P grade)
Taxa de dados 1866 MT/s —
Burst Length 8, 4 —
Número de pinos 96 —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
REACH Status Compliant —
Memory Format DRAM —
Organização da memória — 256M x 16
Interface — Parallel
Access Time — 20 ns
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fichas técnicas e recursos

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