MT41K256M16LY-107 vs MT41K256M16TW-107 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16LY-107 제조: Micron Technology 및 MT41K256M16TW-107 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16LY-107 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.25 | $14.10 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| 데이터 버스 폭 | 16 bit | 16 bit |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| CAS 레이턴시 | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35V / 1.5V | 1.35 V |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| 데이터 속도 | 1866 MT/s | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |