MT41K256M16LY-107 vs MT41K256M16TW-107 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16LY-107 par Micron Technology et MT41K256M16TW-107 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16LY-107 MT41K256M16LY-107 - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107 - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107 ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16LY-107 MT41K256M16TW-107
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,25 $14,10
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Largeur du bus de données 16 bit 16 bit
Clock Frequency 933 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
Latence CAS 20 ns —
Tension d'alimentation 1.35V / 1.5V 1.35 V
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (8x14 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C (commercial :P grade)
Débit de données 1866 MT/s —
Burst Length 8, 4 —
Nombre de broches 96 —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
REACH Status Compliant —
Memory Format DRAM —
Organisation de la mémoire — 256M x 16
Interface — Parallel
Access Time — 20 ns
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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