MT41K256M16LY-107 vs MT41K256M16TW-107 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16LY-107 por Micron Technology y MT41K256M16TW-107 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16LY-107 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,25 | $14,10 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | 16 bit |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Latencia CAS | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V / 1.5V | 1.35 V |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Interfaz | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |