N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV741 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von N25Q016A11EV7A0 von Micron Technology und N25Q032A13EV741 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
N25Q016A11EV7A0 N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 ✓ Aktiv
Micron Technology
N25Q032A13EV741 N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter N25Q016A11EV7A0 N25Q032A13EV741
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $2,04
Speichertyp FLASH - NOR Memory IC Non-Volatile, FLASH - NOR
Speichergröße 16 Mbit (2 MB) 32Mbit (8M x 4)
Schnittstelle SPI —
Maximale Taktfrequenz 108 MHz 108 MHz
Versorgungsspannung 1.8 V (V11 grade) 2.7 V to 3.6 V
Gehäuse 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) 8-lead VDFPN (EV)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Protocol Support Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI —
Programming Page program, sector/block erase —
Family N25Q —
Speed Grade 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Erase/Program Cycles [DATA_NEEDED: Endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: Package Dimensions] —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Format — FLASH
Memory Interface — SPI
Write Cycle Time - Word — 8 ms
Write Cycle Time - Page — 5 ms
Technology — FLASH - NOR (SLC)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Bulk
Part Status — Obsolete
Application Segment — Telecom

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