N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV741 Comparación
Comparación detallada lado a lado de N25Q016A11EV7A0 por Micron Technology y N25Q032A13EV741 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | N25Q016A11EV7A0 | N25Q032A13EV741 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Obsolete |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,18 | $2,04 |
| Tipo de memoria | FLASH - NOR Memory IC | Non-Volatile, FLASH - NOR |
| Tamaño de memoria | 16 Mbit (2 MB) | 32Mbit (8M x 4) |
| Interfaz | SPI | — |
| Frecuencia de reloj máxima | 108 MHz | 108 MHz |
| Tensión de alimentación | 1.8 V (V11 grade) | 2.7 V to 3.6 V |
| Encapsulado | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) | 8-lead VDFPN (EV) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Protocol Support | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI | — |
| Programming | Page program, sector/block erase | — |
| Family | N25Q | — |
| Speed Grade | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| Erase/Program Cycles | [DATA_NEEDED: Endurance] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Memory Interface | — | SPI |
| Write Cycle Time - Word | — | 8 ms |
| Write Cycle Time - Page | — | 5 ms |
| Technology | — | FLASH - NOR (SLC) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | — | 3 (168 Hours) |
| Packaging | — | Bulk |
| Part Status | — | Obsolete |
| Application Segment | — | Telecom |