N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV741 비교

다음의 상세 나란히 비교: N25Q016A11EV7A0 제조: Micron Technology 및 N25Q032A13EV741 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
N25Q016A11EV7A0 N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 ✓ 활성
Micron Technology
N25Q032A13EV741 N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 Obsolete

사양 비교

파라미터 N25Q016A11EV7A0 N25Q032A13EV741
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.18 $2.04
메모리 유형 FLASH - NOR Memory IC Non-Volatile, FLASH - NOR
메모리 크기 16 Mbit (2 MB) 32Mbit (8M x 4)
인터페이스 SPI —
최대 클록 주파수 108 MHz 108 MHz
공급 전압 1.8 V (V11 grade) 2.7 V to 3.6 V
패키지 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) 8-lead VDFPN (EV)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Protocol Support Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI —
Programming Page program, sector/block erase —
Family N25Q —
Speed Grade 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) —
동작 온도 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Erase/Program Cycles [DATA_NEEDED: Endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: Package Dimensions] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Format — FLASH
Memory Interface — SPI
Write Cycle Time - Word — 8 ms
Write Cycle Time - Page — 5 ms
Technology — FLASH - NOR (SLC)
습도 민감도 레벨 (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Bulk
Part Status — Obsolete
Application Segment — Telecom

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