N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV741 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок N25Q016A11EV7A0 от Micron Technology и N25Q032A13EV741 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
N25Q016A11EV7A0 N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 ✓ Активен
Micron Technology
N25Q032A13EV741 N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV741 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр N25Q016A11EV7A0 N25Q032A13EV741
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,18 $2,04
Тип памяти FLASH - NOR Memory IC Non-Volatile, FLASH - NOR
Размер памяти 16 Mbit (2 MB) 32Mbit (8M x 4)
Интерфейс SPI —
Максимальная тактовая частота 108 MHz 108 MHz
Напряжение питания 1.8 V (V11 grade) 2.7 V to 3.6 V
Корпус 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) 8-lead VDFPN (EV)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Protocol Support Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI —
Programming Page program, sector/block erase —
Family N25Q —
Speed Grade 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Erase/Program Cycles [DATA_NEEDED: Endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: Package Dimensions] —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Format — FLASH
Memory Interface — SPI
Write Cycle Time - Word — 8 ms
Write Cycle Time - Page — 5 ms
Technology — FLASH - NOR (SLC)
Уровень чувствительности к влаге (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Bulk
Part Status — Obsolete
Application Segment — Telecom

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену