N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV741 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de N25Q016A11EV7A0 par Micron Technology et N25Q032A13EV741 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | N25Q016A11EV7A0 | N25Q032A13EV741 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,18 | $2,04 |
| Type de mémoire | FLASH - NOR Memory IC | Non-Volatile, FLASH - NOR |
| Taille de mémoire | 16 Mbit (2 MB) | 32Mbit (8M x 4) |
| Interface | SPI | — |
| Fréquence d'horloge maximale | 108 MHz | 108 MHz |
| Tension d'alimentation | 1.8 V (V11 grade) | 2.7 V to 3.6 V |
| Boîtier | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) | 8-lead VDFPN (EV) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Protocol Support | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI | — |
| Programming | Page program, sector/block erase | — |
| Family | N25Q | — |
| Speed Grade | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | — |
| Erase/Program Cycles | [DATA_NEEDED: Endurance] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Memory Interface | — | SPI |
| Write Cycle Time - Word | — | 8 ms |
| Write Cycle Time - Page | — | 5 ms |
| Technology | — | FLASH - NOR (SLC) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | — | 3 (168 Hours) |
| Packaging | — | Bulk |
| Part Status | — | Obsolete |
| Application Segment | — | Telecom |