NDL46PFG-8KIT vs H5TC4G63AFR-PBA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NDL46PFG-8KIT von Insignis Technology Corporation und H5TC4G63AFR-PBA von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NDL46PFG-8KIT H5TC4G63AFR-PBA
Marke Insignis Technology Corporation SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,60 $3,98
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Datenbusbreite 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Datenrate 1600 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
CAS-Latenz 20 ns —
Versorgungsspannung 1.35V (1.5V compatible) —
Betriebstemperatur 95°C (max) —
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
Montageart Surface Mount —
Schnittstelle Parallel 16-bit I/O
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
RoHS-Status Compliant —
Density — 4Gb
Speicherorganisation — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Betriebstemperaturbereich — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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