NDL46PFG-8KIT vs H5TC4G63AFR-PBA 비교

다음의 상세 나란히 비교: NDL46PFG-8KIT 제조: Insignis Technology Corporation 및 H5TC4G63AFR-PBA 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ 활성
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NDL46PFG-8KIT H5TC4G63AFR-PBA
브랜드 Insignis Technology Corporation SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.60 $3.98
메모리 유형 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) —
데이터 버스 폭 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
데이터 속도 1600 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
CAS 레이턴시 20 ns —
공급 전압 1.35V (1.5V compatible) —
동작 온도 95°C (max) —
패키지 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
실장 유형 Surface Mount —
인터페이스 Parallel 16-bit I/O
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
RoHS 상태 Compliant —
Density — 4Gb
메모리 구성 — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
동작 온도 범위 — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

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