NDL46PFG-8KIT vs H5TC4G63AFR-PBA Comparación

Comparación detallada lado a lado de NDL46PFG-8KIT por Insignis Technology Corporation y H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NDL46PFG-8KIT H5TC4G63AFR-PBA
Marca Insignis Technology Corporation SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,60 $3,98
Tipo de memoria SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) —
Ancho del bus de datos 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Velocidad de datos 1600 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Latencia CAS 20 ns —
Tensión de alimentación 1.35V (1.5V compatible) —
Temperatura de funcionamiento 95°C (max) —
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount —
Interfaz Parallel 16-bit I/O
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Estado RoHS Compliant —
Density — 4Gb
Organización de memoria — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Rango de temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

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