NDL46PFG-8KIT vs H5TC4G63AFR-PBA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NDL46PFG-8KIT por Insignis Technology Corporation e H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Ativo
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NDL46PFG-8KIT H5TC4G63AFR-PBA
Marca Insignis Technology Corporation SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,60 $3,98
Tipo de memória SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4Gbit (256M x 16) —
Largura do barramento de dados 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Taxa de dados 1600 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Latência CAS 20 ns —
Tensão de alimentação 1.35V (1.5V compatible) —
Temperatura de operação 95°C (max) —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
Tipo de montagem Surface Mount —
Interface Parallel 16-bit I/O
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Status RoHS Compliant —
Density — 4Gb
Organização da memória — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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