NDL46PFG-8KIT vs H5TC4G63AFR-PBA Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NDL46PFG-8KIT par Insignis Technology Corporation et H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NDL46PFG-8KIT H5TC4G63AFR-PBA
Marque Insignis Technology Corporation SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,60 $3,98
Type de mémoire SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) —
Largeur du bus de données 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Débit de données 1600 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Latence CAS 20 ns —
Tension d'alimentation 1.35V (1.5V compatible) —
Température de fonctionnement 95°C (max) —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA
Type de montage Surface Mount —
Interface Parallel 16-bit I/O
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes —
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Statut RoHS Compliant —
Density — 4Gb
Organisation de la mémoire — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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