NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NDL46PFG-8KIT von Insignis Technology Corporation und K4B4G1646E-BYK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis
NDL46PFG-8KIT ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NDL46PFG-8KIT | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marke | Insignis Technology Corporation | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,60 | $1,80 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Datenrate | 1600 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| CAS-Latenz | 20 ns | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Versorgungsspannung | 1.35V (1.5V compatible) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Betriebstemperatur | 95°C (max) | 0°C to +95°C (TC) |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (dynamic ODT) |
| Refresh Mode | Auto-refresh and self-refresh | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |