NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NDL46PFG-8KIT от Insignis Technology Corporation и K4B4G1646E-BYK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Активен
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NDL46PFG-8KIT K4B4G1646E-BYK0
Бренд Insignis Technology Corporation Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,60 $1,80
Тип памяти SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Размер памяти 4Gbit (256M x 16) —
Разрядность шины данных 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Скорость передачи данных 1600 Mbps DDR3-1600 (800 MHz)
Задержка CAS 20 ns 11 (CL-tRCD-tRP)
Напряжение питания 1.35V (1.5V compatible) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Рабочая температура 95°C (max) 0°C to +95°C (TC)
Корпус 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Тип монтажа Surface Mount —
Интерфейс Parallel —
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (dynamic ODT)
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Статус RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Организация памяти — 256M x 16
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену