NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 Comparación

Comparación detallada lado a lado de NDL46PFG-8KIT por Insignis Technology Corporation y K4B4G1646E-BYK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Activo
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NDL46PFG-8KIT K4B4G1646E-BYK0
Marca Insignis Technology Corporation Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,60 $1,80
Tipo de memoria SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) —
Ancho del bus de datos 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Velocidad de datos 1600 Mbps DDR3-1600 (800 MHz)
Latencia CAS 20 ns 11 (CL-tRCD-tRP)
Tensión de alimentación 1.35V (1.5V compatible) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Temperatura de funcionamiento 95°C (max) 0°C to +95°C (TC)
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Tipo de montaje Surface Mount —
Interfaz Parallel —
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (dynamic ODT)
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Estado RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Organización de memoria — 256M x 16
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

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