NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NDL46PFG-8KIT par Insignis Technology Corporation et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Actif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NDL46PFG-8KIT K4B4G1646E-BYK0
Marque Insignis Technology Corporation Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,60 $1,80
Type de mémoire SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) —
Largeur du bus de données 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Débit de données 1600 Mbps DDR3-1600 (800 MHz)
Latence CAS 20 ns 11 (CL-tRCD-tRP)
Tension d'alimentation 1.35V (1.5V compatible) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Température de fonctionnement 95°C (max) 0°C to +95°C (TC)
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Type de montage Surface Mount —
Interface Parallel —
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (dynamic ODT)
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Statut RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Organisation de la mémoire — 256M x 16
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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