NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 对比

详细并排对比 NDL46PFG-8KIT 出自 Insignis Technology Corporation 和 K4B4G1646E-BYK0 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ 量产中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ 量产中

规格对比

参数 NDL46PFG-8KIT K4B4G1646E-BYK0
品牌 Insignis Technology Corporation Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.60 $1.80
存储器类型 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) —
数据总线宽度 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
数据速率 1600 Mbps DDR3-1600 (800 MHz)
CAS 延迟 20 ns 11 (CL-tRCD-tRP)
电源电压 1.35V (1.5V compatible) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
工作温度 95°C (max) 0°C to +95°C (TC)
封装 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
安装类型 Surface Mount —
接口 Parallel —
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (dynamic ODT)
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
RoHS 状态 Compliant —
Density — 4 Gb
存储组织 — 256M x 16
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

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