NDL46PFG-8KIT vs K4B4G1646E-BYK0 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NDL46PFG-8KIT por Insignis Technology Corporation e K4B4G1646E-BYK0 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Insignis Technology Corporation
NDL46PFG-8KIT NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Insignis

NDL46PFG-8KIT ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK0 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NDL46PFG-8KIT K4B4G1646E-BYK0
Marca Insignis Technology Corporation Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,60 $1,80
Tipo de memória SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4Gbit (256M x 16) —
Largura do barramento de dados 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Taxa de dados 1600 Mbps DDR3-1600 (800 MHz)
Latência CAS 20 ns 11 (CL-tRCD-tRP)
Tensão de alimentação 1.35V (1.5V compatible) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Temperatura de operação 95°C (max) 0°C to +95°C (TC)
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13.5 mm) 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Tipo de montagem Surface Mount —
Interface Parallel —
Access Time 20 ns —
Burst Length 8 and 4 8 (fixed), 4 (burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (dynamic ODT)
Refresh Mode Auto-refresh and self-refresh —
Status RoHS Compliant —
Density — 4 Gb
Organização da memória — 256M x 16
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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