NT5AD512M16A4-GZ vs NT5AD512M16C4-JRI השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5AD512M16A4-GZ מאת Nanya Technology ו NT5AD512M16C4-JRI מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Nanya Technology
NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya

NT5AD512M16A4-GZ ✓ פעיל
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology

NT5AD512M16C4-JRI ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר NT5AD512M16A4-GZ NT5AD512M16C4-JRI
מותג Nanya Technology Nanya Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $75.58
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
ארגון 512M x 16 512M x 16
Density 8Gb —
מתח אספקה 1.2V 1.2 V
תדר שעון מקסימלי 1200 MHz —
רוחב אפיק נתונים 16 bits —
מארז TFBGA-96 TFBGA-96
Number of Terminals 96 —
Interleaved Burst Length 4, 8 —
Access Mode Four Bank Page Burst —
טווח טמפרטורת פעולה Commercial and Industrial -40°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Built-in Temperature Sensor Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Function Yes —
ZQ Calibration Function Yes —
Memory Density — 8 Gbit
קצב נתונים — 3200 Mbps (DDR4-3200)
סוג הרכבה — Surface Mount
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר