NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DII Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CB256M16CP-DI von Nanya Technology und NT5CB256M16CP-DII von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

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NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DII
Marke Nanya Technology Nanya Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $5,57
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
Versorgungsspannung 1.35 V (DDR3L) —
Datenrate 1600 Mbps/pin (max) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
Gehäuse TFBGA-96 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) -40C to +95C (industrial)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
CAS-Latenz — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Schnittstelle — SSTL-15
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

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