NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DII Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CB256M16CP-DI par Nanya Technology et NT5CB256M16CP-DII par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Actif
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DII
Marque Nanya Technology Nanya Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $5,57
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
Tension d'alimentation 1.35 V (DDR3L) —
Débit de données 1600 Mbps/pin (max) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
Boîtier TFBGA-96 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) -40C to +95C (industrial)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
Latence CAS — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Interface — SSTL-15
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

Fiches techniques et ressources

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