NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DII 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CB256M16CP-DI 제조: Nanya Technology 및 NT5CB256M16CP-DII 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 활성
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DII
브랜드 Nanya Technology Nanya Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $5.57
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
공급 전압 1.35 V (DDR3L) —
데이터 속도 1600 Mbps/pin (max) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
패키지 TFBGA-96 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) -40C to +95C (industrial)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
CAS 레이턴시 — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
인터페이스 — SSTL-15
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

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