NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DII 对比

详细并排对比 NT5CB256M16CP-DI 出自 Nanya Technology 和 NT5CB256M16CP-DII 出自 Nanya Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 量产中
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NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ 量产中

规格对比

参数 NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DII
品牌 Nanya Technology Nanya Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $5.57
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储组织 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
电源电压 1.35 V (DDR3L) —
数据速率 1600 Mbps/pin (max) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
封装 TFBGA-96 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作温度范围 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) -40C to +95C (industrial)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
CAS 延迟 — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
接口 — SSTL-15
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

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