NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DII Comparación

Comparación detallada lado a lado de NT5CB256M16CP-DI por Nanya Technology y NT5CB256M16CP-DII por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Activo
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NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DII
Marca Nanya Technology Nanya Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,50 $5,57
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
Tensión de alimentación 1.35 V (DDR3L) —
Velocidad de datos 1600 Mbps/pin (max) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
Encapsulado TFBGA-96 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) -40C to +95C (industrial)
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
Latencia CAS — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Interfaz — SSTL-15
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

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