NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DII Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16CP-DIB1 von Nanya Technology und NT5CB256M16CP-DII von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16CP-DIB1 | NT5CB256M16CP-DII |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,00 | $5,57 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35V | — |
| Datenrate | 1600Mbps (DDR3L-1600) | DDR3L-1600 (PC3L-12800) |
| Gehäuse | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| CAS Latency (CL) | 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (Tcase) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| CAS-Latenz | — | CL11 |
| tCK (min) | — | 1.25 ns |
| Schnittstelle | — | SSTL-15 |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40C to +95C (industrial) |
| Refresh Interval | — | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C |