NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DII Comparación

Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16CP-DIB1 por Nanya Technology y NT5CB256M16CP-DII por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

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NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CB256M16CP-DII
Marca Nanya Technology Nanya Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,00 $5,57
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Tensión de alimentación 1.35V —
Velocidad de datos 1600Mbps (DDR3L-1600) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
Encapsulado TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11 —
Write Latency (CWL) 8 —
tRCD/tRP 11 —
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) 8, 4 (with burst chop)
Temperatura de funcionamiento 0C to +95C (Tcase) —
RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Lead Free Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
Latencia CAS — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Interfaz — SSTL-15
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +95C (industrial)
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

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