NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DII 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16CP-DIB1 제조: Nanya Technology 및 NT5CB256M16CP-DII 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16CP-DIB1 | NT5CB256M16CP-DII |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.00 | $5.57 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35V | — |
| 데이터 속도 | 1600Mbps (DDR3L-1600) | DDR3L-1600 (PC3L-12800) |
| 패키지 | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| CAS Latency (CL) | 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | 8, 4 (with burst chop) |
| 동작 온도 | 0C to +95C (Tcase) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| CAS 레이턴시 | — | CL11 |
| tCK (min) | — | 1.25 ns |
| 인터페이스 | — | SSTL-15 |
| 동작 온도 범위 | — | -40C to +95C (industrial) |
| Refresh Interval | — | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C |