NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DII Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16CP-DIB1 par Nanya Technology et NT5CB256M16CP-DII par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16CP-DIB1 | NT5CB256M16CP-DII |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $5,57 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35V | — |
| Débit de données | 1600Mbps (DDR3L-1600) | DDR3L-1600 (PC3L-12800) |
| Boîtier | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| CAS Latency (CL) | 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 8 | — |
| tRCD/tRP | 11 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (Tcase) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Latence CAS | — | CL11 |
| tCK (min) | — | 1.25 ns |
| Interface | — | SSTL-15 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40C to +95C (industrial) |
| Refresh Interval | — | 7.8us at 85C, 3.9us at 95C |