NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DII Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16CP-DIB1 от Nanya Technology и NT5CB256M16CP-DII от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ Активен
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CB256M16CP-DII
Бренд Nanya Technology Nanya Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,00 $5,57
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Напряжение питания 1.35V —
Скорость передачи данных 1600Mbps (DDR3L-1600) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
Корпус TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11 —
Write Latency (CWL) 8 —
tRCD/tRP 11 —
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) 8, 4 (with burst chop)
Рабочая температура 0C to +95C (Tcase) —
RoHS Compliant Compliant
Без галогенов Yes —
Lead Free Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
Задержка CAS — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
Интерфейс — SSTL-15
Диапазон рабочих температур — -40C to +95C (industrial)
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену