NT5CC256M16CP-DIB1 vs NT5CB256M16CP-DII 对比

详细并排对比 NT5CC256M16CP-DIB1 出自 Nanya Technology 和 NT5CB256M16CP-DII 出自 Nanya Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ 量产中
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NT5CB256M16CP-DII NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DII ✓ 量产中

规格对比

参数 NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CB256M16CP-DII
品牌 Nanya Technology Nanya Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.00 $5.57
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
存储组织 256M x 16 256M x 16
电源电压 1.35V —
数据速率 1600Mbps (DDR3L-1600) DDR3L-1600 (PC3L-12800)
封装 TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch 96-ball FBGA (9mm x 13mm)
Number of Banks 8 8
CAS Latency (CL) 11 —
Write Latency (CWL) 8 —
tRCD/tRP 11 —
Burst Length 8 (BL8) and 4 (BC4) 8, 4 (with burst chop)
工作温度 0C to +95C (Tcase) —
RoHS Compliant Compliant
无卤 Yes —
Lead Free Yes —
Supply Voltage (VDD) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
I/O Voltage (VDDQ) — 1.35V (1.283V to 1.45V)
CAS 延迟 — CL11
tCK (min) — 1.25 ns
接口 — SSTL-15
工作温度范围 — -40C to +95C (industrial)
Refresh Interval — 7.8us at 85C, 3.9us at 95C

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