NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16DP-DI von Nanya Technology und H5TC4G63CFR-PBL von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16DP-DI | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35 V |
| Datenrate | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Gehäuse | VFBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| CAS-Latenz | 11, 12, 13 (programmable) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Schnittstelle | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Speichergröße | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| Halogenfrei | — | Yes |