NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology y H5TC4G63CFR-PBL por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16DP-DI | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | 1.35 V |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Encapsulado | VFBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| Latencia CAS | 11, 12, 13 (programmable) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Interfaz | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| Sin halógenos | — | Yes |