NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL 比較

詳細な並列比較: NT5CC256M16DP-DI メーカー: Nanya Technology および H5TC4G63CFR-PBL メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5CC256M16DP-DI H5TC4G63CFR-PBL
ブランド Nanya Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
メモリ構成 256M x 16 —
電源電圧 1.35V 1.35 V
データレート 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps (PC3L-12800)
パッケージ VFBGA-96 96-ball FBGA (TFBGA)
動作温度範囲 -40°C to +95°C (industrial) —
CASレイテンシ 11, 12, 13 (programmable) 11, 12, 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8
Number of Banks 8 8
インターフェース Differential clock (CK, CK#) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
メモリサイズ — 4 Gb (256M x 16)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Refresh Period — 7.8 us at 85C
ハロゲンフリー — Yes

データシート&リソース

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