NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CC256M16DP-DI от Nanya Technology и H5TC4G63CFR-PBL от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Активен
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CC256M16DP-DI H5TC4G63CFR-PBL
Бренд Nanya Technology SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $6,50
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Организация памяти 256M x 16 —
Напряжение питания 1.35V 1.35 V
Скорость передачи данных 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps (PC3L-12800)
Корпус VFBGA-96 96-ball FBGA (TFBGA)
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C (industrial) —
Задержка CAS 11, 12, 13 (programmable) 11, 12, 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8
Number of Banks 8 8
Интерфейс Differential clock (CK, CK#) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Размер памяти — 4 Gb (256M x 16)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Refresh Period — 7.8 us at 85C
Без галогенов — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену