NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL Comparação
Comparação detalhada lado a lado de NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology e H5TC4G63CFR-PBL por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | NT5CC256M16DP-DI | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Tensão de alimentação | 1.35V | 1.35 V |
| Taxa de dados | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Encapsulamento | VFBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| Latência CAS | 11, 12, 13 (programmable) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Interface | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tamanho da memória | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| Livre de halogênio | — | Yes |