NT5CC256M16DP-DI vs H5TC4G63CFR-PBL Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology et H5TC4G63CFR-PBL par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16DP-DI | H5TC4G63CFR-PBL |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V |
| Débit de données | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (PC3L-12800) |
| Boîtier | VFBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| Latence CAS | 11, 12, 13 (programmable) | 11, 12, 13 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Interface | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Taille de mémoire | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Form | — | BALL |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85C |
| Sans halogène | — | Yes |