NTMFS4C324NT1G vs BSC010NE2LSIATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NTMFS4C324NT1G von onsemi und BSC010NE2LSIATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter NTMFS4C324NT1G BSC010NE2LSIATMA1
Marke onsemi Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,42 $0,92
Manufacturer onsemi Infineon Technologies
Part Number NTMFS4C324NT1G —
Technology TRENCH 6 N-Channel MOSFET OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max value] —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 352 A —
Rds(on) at VGS=10V 1.7 mΩ typical —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) 549 mJ —
Power Dissipation at Ta 3.1 W —
Power Dissipation at Tc 64 W —
Gehäuse 5-DFN (5x6 mm), SO-8FL equivalent PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj max value] -55C to +150C (TJ)
RoHS-Status Compliant Compliant
Tape and Reel Quantity 1500 pcs —
Series / Family — OptiMOS 25V
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Pin-Anzahl — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Datenblätter & Ressourcen

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