NTMFS4C324NT1G vs BSC010NE2LSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NTMFS4C324NT1G por onsemi e BSC010NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro NTMFS4C324NT1G BSC010NE2LSIATMA1
Marca onsemi Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,42 $0,92
Manufacturer onsemi Infineon Technologies
Part Number NTMFS4C324NT1G —
Technology TRENCH 6 N-Channel MOSFET OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max value] —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 352 A —
Rds(on) at VGS=10V 1.7 mΩ typical —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) 549 mJ —
Power Dissipation at Ta 3.1 W —
Power Dissipation at Tc 64 W —
Encapsulamento 5-DFN (5x6 mm), SO-8FL equivalent PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max value] -55C to +150C (TJ)
Status RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Quantity 1500 pcs —
Series / Family — OptiMOS 25V
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Contagem de pinos — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fichas técnicas e recursos

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