NTMFS4C324NT1G vs BSC010NE2LSIATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: NTMFS4C324NT1G 제조: onsemi 및 BSC010NE2LSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NTMFS4C324NT1G | BSC010NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.42 | $0.92 |
| Manufacturer | onsemi | Infineon Technologies |
| Part Number | NTMFS4C324NT1G | — |
| Technology | TRENCH 6 N-Channel MOSFET | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max value] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 136 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 352 A | — |
| Rds(on) at VGS=10V | 1.7 mΩ typical | — |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | 549 mJ | — |
| Power Dissipation at Ta | 3.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 64 W | — |
| 패키지 | 5-DFN (5x6 mm), SO-8FL equivalent | PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: Tj max value] | -55C to +150C (TJ) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Tape and Reel Quantity | 1500 pcs | — |
| Series / Family | — | OptiMOS 25V |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 96 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| 핀 수 | — | 8 |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Rds(on) at 10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V] |
| Rds(on) at 4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |