NTMFS4C324NT1G vs BSC010NE2LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NTMFS4C324NT1G par onsemi et BSC010NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre NTMFS4C324NT1G BSC010NE2LSIATMA1
Marque onsemi Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,92
Manufacturer onsemi Infineon Technologies
Part Number NTMFS4C324NT1G —
Technology TRENCH 6 N-Channel MOSFET OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max value] —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 136 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 352 A —
Rds(on) at VGS=10V 1.7 mΩ typical —
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) 549 mJ —
Power Dissipation at Ta 3.1 W —
Power Dissipation at Tc 64 W —
Boîtier 5-DFN (5x6 mm), SO-8FL equivalent PG-TDSON-8-7 (TDSON-8 EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max value] -55C to +150C (TJ)
Statut RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Quantity 1500 pcs —
Series / Family — OptiMOS 25V
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TA — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 96 W
Configuration — Single N-Channel
Nombre de broches — 8
Gate Drive — Logic-level compatible
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at 10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=10V]
Rds(on) at 4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=4.5V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fiches techniques et ressources

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