STP20N60M2 vs IPP60R190P6XKSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von STP20N60M2 von STMicroelectronics und IPP60R190P6XKSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter STP20N60M2 IPP60R190P6XKSA1
Marke STMicroelectronics Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,50 $1,02
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 80 A —
On-Resistance (RDS(on)) 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max —
Gate-Source Voltage (VGS) ±25 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 120 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 5 pF —
Avalanche Energy (EAS) 400 mJ —
Thermal Resistance (Junction-to-Case) 1.67 °C/W —
Wärmewiderstand, Sperrschicht-Umgebung 62.5 °C/W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C -55C to +150C (junction)
Gehäuse TO-220 PG-TO220-3 (through-hole)
Montageart Through Hole Through Hole
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P6
Technology — Superjunction (SJ) MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max at 25C — 190 mOhm
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 151 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Lead-Free — Yes
MSL-Level — Not applicable (through-hole)
Product Variant — XKSA1 (industrial grade, tube pack)

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