STP20N60M2 vs IPP60R190P6XKSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de STP20N60M2 par STMicroelectronics et IPP60R190P6XKSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre STP20N60M2 IPP60R190P6XKSA1
Marque STMicroelectronics Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,50 $1,02
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 80 A —
On-Resistance (RDS(on)) 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max —
Gate-Source Voltage (VGS) ±25 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 120 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 5 pF —
Avalanche Energy (EAS) 400 mJ —
Thermal Resistance (Junction-to-Case) 1.67 °C/W —
Résistance thermique, jonction-ambiance 62.5 °C/W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +150C (junction)
Boîtier TO-220 PG-TO220-3 (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P6
Technology — Superjunction (SJ) MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max at 25C — 190 mOhm
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 151 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Lead-Free — Yes
Niveau MSL — Not applicable (through-hole)
Product Variant — XKSA1 (industrial grade, tube pack)

Fiches techniques et ressources

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