STP20N60M2 vs IPP60R190P6XKSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de STP20N60M2 por STMicroelectronics e IPP60R190P6XKSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro STP20N60M2 IPP60R190P6XKSA1
Marca STMicroelectronics Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,50 $1,02
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 80 A —
On-Resistance (RDS(on)) 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max —
Gate-Source Voltage (VGS) ±25 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 120 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 5 pF —
Avalanche Energy (EAS) 400 mJ —
Thermal Resistance (Junction-to-Case) 1.67 °C/W —
Resistência térmica, junção-ambiente 62.5 °C/W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55C to +150C (junction)
Encapsulamento TO-220 PG-TO220-3 (through-hole)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P6
Technology — Superjunction (SJ) MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max at 25C — 190 mOhm
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 151 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Lead-Free — Yes
Nível MSL — Not applicable (through-hole)
Product Variant — XKSA1 (industrial grade, tube pack)

Fichas técnicas e recursos

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