STP20N60M2 vs IPP60R190P6XKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de STP20N60M2 por STMicroelectronics y IPP60R190P6XKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro STP20N60M2 IPP60R190P6XKSA1
Marca STMicroelectronics Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,50 $1,02
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 12 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 80 A —
On-Resistance (RDS(on)) 0.19 ohm typical, 0.23 ohm max —
Gate-Source Voltage (VGS) ±25 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V to 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 120 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 5 pF —
Avalanche Energy (EAS) 400 mJ —
Thermal Resistance (Junction-to-Case) 1.67 °C/W —
Resistencia térmica, unión a ambiente 62.5 °C/W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C -55C to +150C (junction)
Encapsulado TO-220 PG-TO220-3 (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS P6
Technology — Superjunction (SJ) MOSFET
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max at 25C — 190 mOhm
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 151 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Lead-Free — Yes
Nivel MSL — Not applicable (through-hole)
Product Variant — XKSA1 (industrial grade, tube pack)

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