W634GU6RB09I vs K4B4G1646D-BYH9 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von W634GU6RB09I von Winbond und K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | W634GU6RB09I | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,00 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | — |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 1.067 GHz | — |
| CAS-Latenz | 20 ns | Programmable |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| Gehäuse | 96-VFBGA (7.5x13 mm) | 96FBGA |
| Betriebstemperatur | -40C to +95C | 0 ~ 85 °C |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Voltage - I/O | 1.35 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Datenrate | — | 1333 Mbps |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |